1НТ251

Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом

Есть вопросы по этому товару?

Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.

Ваше имя

E-mail

Ваши вопросы относительно товара

Отправить

Авторизация

Корзина

Ваша корзина:

В корзине нет товаров

Новости

22.12.2023
Уважаемые клиенты ! С 25 декабря 2023г мы переезжаем в новый офис по адресу :Москва , ул. 2ая Новорублевская д.13А , оф. 26

20.02.2013
Открыт интернет-магазин !!!

Поиск