Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).
Модуль силовой полупроводниковый МДТО4/3-80-12
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода p-n и оптотиристора p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД-100-12 .
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД-100-4 .
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД-125-12 .
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД-250-15 .
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД-80-10 .
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД-80-12.
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД100-12. Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД125-12. Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД160-12 . Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД250-12. Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД4-100-12 .
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД4-80-10. Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД4/3-80-6.
Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль тиристорно-диодный низкочастотный МТД80-12. Предназначен для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых электротехнических установок при частоте до 500 Гц.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-10-10
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-25-10
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-25-11
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-25-12
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-25-5 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-25-5 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-25-8
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТО2-25-8 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-100-12
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-100-6
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-160-10
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-160-12 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
МТОТО-160-15
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
МТОТО-25-12
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-40-10
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-40-12
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-40-9
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-80-10 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО-80-11
на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.