Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
|
|
 |
|
|
Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа 2П103А, подобранные в пары по основным электрическим параметрам: начальному току стока, крутизне характеристики, напряжению отсечки 2П103АР,
Для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 2П103А, а также во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 2П103АР, |
|
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Транзисторы 2П301А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П302А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П302Б кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П302В кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П303А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частот с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П303Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты с высоким входным сопротивлением.
|
|
 |
|
|
Транзисторы 2П303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты с высоким входным сопротивлением.
|
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Транзисторы в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
|
|
Транзисторы 2П305А кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П305Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П305В кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П306Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П307Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П312А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П312Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона. |
|
 |
|
|
|
|
|
Транзисторы 2П350А кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. |
|
|
|
|
Транзисторы 2П350Б кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. |
|
|
|
|
Транзисторы 2П601А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа универсальные. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей, в генераторах и преобразователях высокой частоты. |
|
|
|
Транзисторы 2П701Б кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, переключающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобразователях напряжения. |
|
|
|
|
Транзисторы 2П707Б кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. |
|
 |
|
|
|
|
|
|
|
Транзисторы 2П901А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П901Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П902А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П902А предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П903А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.
Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П903Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.
Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П904А кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П904А предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. |
|
 |
|
|
|
Транзисторы 2П904Б кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П904Б предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П905А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П905A предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц. |
|
|
|
Транзисторы 2П907А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П907А предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П909А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П909А предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах.
|
|
|
|
Транзисторы 2П909Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П909Б предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах. |
|
|
|
Транзисторы 2П911А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах. |
|
|
|
Транзисторы 2П913А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П913А предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также в переключающих устройствах. |
|
 |
|
|
Транзисторы 2П913Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П913Б предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также в переключающих устройствах. |
|
|
|
