Каталог
Аккустические компоненты
Вакуумные компоненты
Вентиляторы
Диоды
Клеммники
Коммутация
Конденсаторы
Корпуса для РЭА
Микросхемы
Освещение и индикация
Охладители
Разъемы
Реле
Силовые тиристоры
Транзисторы
Трансформаторы
Установочные
Устройства защиты
Щитовые приборы


Фильтр товаров
Название
Цена
от до руб.


Транзисторы полевые
Главная / Транзисторы / Транзисторы полевые
Сортировать по: наименованию (возр/убыв), цене (возр/убыв), рейтингу (возр/убыв)
Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
дог-ая
1НТ251
 Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа 2П103А, подобранные в пары по основным электрическим параметрам: начальному току стока, крутизне характеристики, напряжению отсечки 2П103АР,
Для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 2П103А, а также во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 2П103АР,
30руб.
2П103А
 
30руб.
2П103Б
 
50руб.
2П103В
 
30руб.
2П103Г
 
50руб.
2П103Д
 Транзисторы 2П301А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. 
40руб.
2П301А
 Транзисторы 2П301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. 
100руб.
2П301Б
 Транзисторы 2П302А  кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. 
40руб.
2П302А
 Транзисторы 2П302Б  кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. 
80руб.
2П302Б
 Транзисторы 2П302В  кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. 
70руб.
2П302В
 Транзисторы 2П303А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой   частот с высоким входным сопротивлением. 
25руб.
2П303А
 Транзисторы 2П303Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты с высоким входным сопротивлением.

30руб.
2П303Б
 Транзисторы 2П303В  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты с высоким входным сопротивлением.

30руб.
2П303В
 Транзисторы 2П303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Транзисторы  в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. 
30руб.
2П303Г
 Транзисторы 2П303Д  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты  с высоким входным сопротивлением. 
30руб.
2П303Д
 Транзисторы 2П303Е  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты  с высоким входным сопротивлением. 
30руб.
2П303Е
 
30руб.
2П303И
 Транзисторы 2П305А  кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. 
40руб.
2П305А
 Транзисторы 2П305Б  кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. 
50руб.
2П305Б
 Транзисторы 2П305В  кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. 
40руб.
2П305В
 Транзисторы 2П306А  кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
30руб.
2П306А
 Транзисторы 2П306Б  кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. 
30руб.
2П306Б
 Транзисторы 2П307А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
50руб.
2П307А
  Транзисторы 2П307А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. 
50руб.
2П307А (НИКЕЛЬ)
 Транзисторы 2П307Г  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
60руб.
2П307Г (НИКЕЛЬ)
 Транзисторы 2П312А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона. 
50руб.
2П312А
 Транзисторы 2П312Б  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона. 
40руб.
2П312Б
 
10руб.
2П313В
 Транзисторы 2П350А кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
40руб.
 Транзисторы 2П350Б  кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
60руб.
 Транзисторы 2П601А  кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа универсальные. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей, в генераторах и преобразователях высокой частоты. 
2 600руб.
 Транзисторы 2П701Б  кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, переключающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобразователях напряжения. 
520руб.
 Транзисторы 2П707Б  кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. 
1 200руб.
2П707Б
 
200руб.
2П768А
 
300руб.
2П802А
 Транзисторы 2П901А  кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. 
110руб.
2П901А
 Транзисторы 2П901Б  кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. 
35руб.
2П901Б
 Транзисторы 2П902А  кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П902А предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц. 
30руб.
2П902А
 Транзисторы 2П903А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.
Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах. 
100руб.
2П903А
 Транзисторы 2П903Б  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.
Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах. 
50руб.
2П903Б
 Транзисторы 2П904А  кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П904А предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. 
300руб.
2П904А
 Транзисторы 2П904Б кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Полевые транзисторы  2П904Б предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. 
300руб.
2П904Б
 Транзисторы 2П905А  кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П905A  предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц. 
80руб.
 Транзисторы 2П907А  кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П907А предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона. 
400руб.
2П907А
 Транзисторы  2П909А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П909А  предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах.

1 200руб.
 Транзисторы 2П909Б  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П909Б предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах.
150руб.
 Транзисторы 2П911А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.  
3 500руб.
 Транзисторы 2П913А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П913А  предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также в переключающих устройствах. 
400руб.
2П913А
 Транзисторы 2П913Б  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы  2П913Б предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также в переключающих устройствах. 
500руб.
Сортировать по: наименованию (возр/убыв), цене (возр/убыв), рейтингу (возр/убыв)
1  2  3  4  след >>