Каталог
Аккустические компоненты
Вакуумные компоненты
Вентиляторы
Всё для пайки
Диоды
Измерительные приборы MASTECH
Клеммники
Коммутация
конденсаторы
Корпуса для РЭА
микросхемы
Оптоэлектронные приборы
Освещение и индикация
Отечественные микросхемы
Охладители
Разъемы
Реле
Силовые тиристоры
Транзисторы
Трансформаторы
Установочные
Устройства защиты
Щитовые приборы




Валюта
Выберите тип валюты:


2П306Б
Главная / Транзисторы / Транзисторы полевые
30руб.
Оценить: 
 Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.

Основные технические характеристики транзистора 2П306Б:
• Структура транзистора: с двумя изолированными затворами и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,005 мА;
• S - Крутизна характеристики: 4... 80 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,07 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 200 МГц
• fр - рабочая частота транзистора: 800 МГц
2П306Б
 
Есть вопросы по этому товару?
Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.
Ваше имя
E-mail
Ваши вопросы относительно товара
code
Отправить