Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П306Б:
• Структура транзистора: с двумя изолированными затворами и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,005 мА;
• S - Крутизна характеристики: 4... 80 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,07 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 200 МГц
• fр - рабочая частота транзистора: 800 МГц
|
|
|