Каталог
Аккустические компоненты
Вакуумные компоненты
Вентиляторы
Всё для пайки
Диоды
Измерительные приборы MASTECH
Клеммники
Коммутация
конденсаторы
Корпуса для РЭА
микросхемы
Оптоэлектронные приборы
Освещение и индикация
Отечественные микросхемы
Охладители
Разъемы
Реле
Силовые тиристоры
Транзисторы
Трансформаторы
Установочные
Устройства защиты
Щитовые приборы




Валюта
Выберите тип валюты:


2П303Е
Главная / Транзисторы / Транзисторы полевые
1руб.
Оценить: 
 Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Е:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 20 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 5 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц

2П303Е
 
Есть вопросы по этому товару?
Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.
Ваше имя
E-mail
Ваши вопросы относительно товара
code
Отправить