Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 6 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П909Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 50 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 4 А; • S - Крутизна характеристики: 350... 900 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 125 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 60 пФ
Есть вопросы по этому товару?
Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.