Транзисторы 2П903Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы 2П903Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 6 г, кристалла не более 0,0002 г.
Основные технические характеристики транзистора 2П903Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 6 Вт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 6,5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 700 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 480 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,05 мА;
• S - Крутизна характеристики: 50... 130 мА/В (8В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 18 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 10 Ом;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7,6 дБ
|
 |
|
